Ich muss in der Lage sein, die Verstärkung eines Operationsverstärkers mit einem MCU zu steuern. Ich weiß, dass der offensichtliche Weg darin besteht, ein digitales Potentiometer oder einen Operationsverstärker zu verwenden, der bereits für diesen Zweck entwickelt wurde.
Ich frage mich, ob dies den Trick tun wird:
simulieren Sie diese Schaltung - Schema erstellt mit CircuitLab
Grundsätzlich kann die MCU den Mosfet verwenden, um einen anderen Widerstand parallel zu R2 zu schalten, was die Verstärkung in diesem Beispiel von 2 auf etwa 27 erhöhen würde. Ich denke also an eine Reihe von Mosfets, vielleicht insgesamt 3 oder so. Funktioniert das ? Mir ist klar, dass dies den Hochpassfilter von C2-R2 beeinflussen würde.
Eine andere Möglichkeit, dasselbe zu tun, besteht darin, R4 unter R2 in Serie zu schalten und es mit dem Mosfet kurzzuschließen.
Welcher Weg ist vorzuziehen?
Danke im Voraus !
Antworten:
Da Sie eine Simulation ausgeführt haben, führen Sie einen Wechselstrom-Sweep durch, um festzustellen, wo die MOSFET-Kapazität beginnt, die Verstärkung zu erhöhen (sollte bei Betrachtung MHz sein).
Bei hohen Signalpegeln (größer als einige hundert mV Eingang) verursacht die MOSFET-Körperdiode bei ausgeschaltetem MOSFET eine große Verzerrung der negativen Halbzyklen. Eine Änderung der Verzerrung könnte dies verhindern. Achten Sie jedoch auf Klick-Effekte bei der Änderung der Verstärkung, wenn dies für Sie wichtig ist.
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Eine gute zweite Meinung wäre, es zu broten und Ihr erwartetes Signal einzugeben. Sie haben angedeutet, dass Sie ein Niederfrequenzsignal eingeben, daher sollte die Änderung Ihrer Filtereigenschaften kein Problem darstellen. Der einzige Weg, um sicher zu sein, besteht darin, einige Teile auszubrechen und es auszuprobieren!
Ich kann Ihnen sagen, dass ich versucht habe, die von Ihnen beschriebene zweite Schaltung zu verwenden, um eine einstellbare Verstärkung pro Sensor bereitzustellen, und sie hat perfekt funktioniert. Ich hatte das Gefühl, dass es einfacher ist, die gewünschten Verstärkungsschritte zu erzielen, während die üblichen Widerstandswerte eingehalten werden. Es ist möglich, dasselbe zu tun, wenn die Widerstände parallel sind, es jedoch schwieriger ist, das Gleichgewicht zwischen den gewünschten Schritten und dem Preis der Widerstände zu finden. Die Abtastrate betrug jedoch nur etwa 500 Hz, so dass die Mosfet-Kapazität die Dinge für mich nicht durcheinander brachte.
Eine Sache, die ich an Ihrer Schaltung beachten sollte, wenn Sie beabsichtigen, sie zu bordeln, ist, dass der Pulldown-Widerstand R5 ziemlich viel Strom verbrauchen wird. Wenn Sie diesen Eingang mit einem Mikrocontroller-Pin ansteuern möchten, kann der Eingang nur schwer hochgezogen werden.
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