Warum wird NAND nur auf Blockebene und nicht auf Seitenebene gelöscht?

Im Folgenden verstehe ich, wie der NAND-Flash-Speicher organisiert ist. Mit diesem Design sollte es möglich sein, nur eine einzelne Seite zu löschen und zu programmieren, anstatt einen ganzen Block zu löschen. Meine Frage ist, warum die NAND-Implementierung nicht auf einer detaillierteren Seitenebene gelöscht wird. Intuitiv muss lediglich die Wortzeile, die die zu löschende Seite darstellt, mit einer hohen Spannung dargestellt werden, um Elektronen vom schwebenden Gate zu entfernen, während die anderen Wortzeilen unberührt bleiben. Jede Erklärung über die Gründe dafür wird geschätzt.

NAND Flash Block Organisation

flash Joel Fernandes
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Antworten:

Wenn Sie nicht alle gleichzeitig löschen, benötigen Sie eine viel höhere Spannung, da Sie versuchen, die Floating-Gate-Spannung um eine bestimmte Spannung über die Quellenspannung zu erhöhen . Wenn die Quelle nicht über die anderen Transistoren mit Masse verbunden ist, liegen viele der Quellenspannungen bereits auf einem höheren Niveau als Masse. Wenn Sie versuchen, eine höhere Spannung zu verwenden, wird ein Teil dieser Spannung wahrscheinlich an einigen Transistoren enden, deren Quellen an Masse gebunden sind, was ausreichen kann, um den Transistor zu beschädigen.

Horta
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Vielen Dank, das ist eine großartige Antwort. Ich vermute also für NOR, dann sollte es möglich sein, nur alle FGT in einer bestimmten Wortzeile zu löschen, anstatt alle in einem Block?

Joel Fernandes

* da alle Quellen geerdet sind

Joel Fernandes

@JoelFernandes Obwohl Sie technisch gesehen einen NOR-Flash so entwerfen könnten, dass einzelne Zellen gelöscht werden können, wird dies in der Praxis nicht durchgeführt. Da zum Löschen einer Zelle eine hohe negative Spannung erforderlich ist, nicht eine 0 oder eine 1, verbinden sie viele Zellen zu Blöcken, um diese Löschoperation auszuführen. Auf diese Weise muss Ihre Programmier- und Leseschaltung nicht in der Lage sein, eine große negative Spannung zu verarbeiten. Da Geschwindigkeit im Speicher so wichtig ist, ist dies eine kluge technische Entscheidung.

Horta

Wird also eine Spannung verwendet, um eine Zelle zu löschen? Ich dachte, sowohl für NAND als auch für NOR wurde eine hohe positive Spannung über Gate / Source verwendet, um die gespeicherte Ladung quanten zu tunneln (und somit auf 1 zu setzen). Sieht so aus, als würde mir etwas fehlen. Auch ein guter Literaturhinweis für die Organisation von NAND / NOR-Schaltkreisen wäre willkommen.

Joel Fernandes

@JoelFernandes en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory#NOR_flash Es ist eine hohe negative Spannung , dass Schübe / tunnelt die Elektronen aus dem FG zurück an die Quelle. Diese Seite hat auch viele Referenzen / Links. Zum Programmieren legen Sie eine positive Spannung an und Sie bekommen Elektronen, die von der Source / Drain im Floating Gate stecken bleiben. Die Elektronen würden dazu führen, dass über dem Kanal eine negative Spannung auftritt, die den Kanal zwingt, nicht mehr zu leiten, dh eine 0. Um auf eine 1 zurückzusetzen, kehren Sie die Spannung auf einen wirklich hohen Pegel um, wodurch ein Elektronentunnel von der FG zurück zur Quelle verursacht wird.

Horta

Ich war so verwirrt von der Idee des Blocklöschens ... Ich fand ein Buch, in dem der Flash-Speicher ausführlich erklärt wurde. Sie könnten an der Erklärung des Autors interessiert sein:

... Das Löschen von Flash in kleineren Blöcken machte die Verwaltung der Code- und Datenspeicherung einfacher und sicherer. Die meisten fragen sich, warum Blockgrößen nicht bis zum Ideal des Löschens einzelner Bytes / Wörter reduziert werden. Der Grund ist, dass je kleiner der Block ist, desto größer der Nachteil bei Transistoren und Chipfläche ist, was die Kosten erhöht. Während kleinere Blöcke einfacher zu verwenden und schneller zu löschen sind, sind sie in Bezug auf die Chipgröße teurer, sodass jedes Blockierungsschema seine Blockgrößen mit den Gerätekosten und den Anforderungen seiner Zielanwendung in Einklang bringen muss ... "

zitiert aus nichtflüchtigen Speichertechnologien mit Schwerpunkt auf Flash: Ein umfassender Leitfaden zum Verständnis und zur Verwendung von Flash-Speichergeräten (IEEE-Presseserie zu mikroelektronischen Systemen) Joe Brewer, Manzur Gill

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