Warum haben LDO-Regler einen so großen Spannungsabfall?

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Warum verwenden LDO-Linearregler keine MOSFETs als Hauptkomponente, um einen minimalen Ausfall = 0 zu haben (je nach Strom müssen sie immer noch einige mV betragen)?

Oder kann man erwarten, einen 0-Dropout-Regler basierend auf einem MOSFET und einem Opamp zu bauen?

ldo BarsMonster
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Ich habe gesehen, dass LDOs nur 50 mV abfallen. Nicht gut genug?

Stevenvh

Ziemlich gut, aber MOSFET sollte mehr können :-)

BarsMonster

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Es gibt Regler mit einer Ausfallspannung nahe 0 mV. Überprüfen Sie Abbildung 5 auf Seite 6 in TPS73101, Cap-Free, NMOS, 150-mA-Low-Dropout-Regler mit Rückstromschutz .

Ein weiteres Beispiel ist LTC1844 - 150 mA, Mikropower, rauscharmer VLDO-Linearregler .

Das Problem bei Reglern bei so niedrigen Abfallspannungen besteht darin, dass sie in diesen Regionen beschissene Parameter haben (Leitungs- / Lastregelung und PSRR ).

Was den Teil betrifft, wenn es möglich ist, einen solchen Regler mit einem Operationsverstärker und einem diskreten MOS-Gerät zu bauen - ja, es ist möglich. Sie müssen PMOS verwenden und auf Stabilität achten (es ist nicht einfach, eine Rückkopplungsschleife in einer solchen Konfiguration stabil zu machen).

Mazurnifizierung
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Ich verstehe, danke ... Genau das, was ich dachte ... P-MOSFET-basiert ohne Ladungspumpen: -D

BarsMonster

Wenn Sie einen 0-V-Ausfall haben, haben Sie überhaupt keine Leitungsregelung! :-)

Stevenvh

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Wenn Sie ein Super-Low-LDO wünschen, benötigen Sie ein Gerät mit einer extrem niedrigen Eingangs-Ausgangs-Sättigungsspannung (dh einem FET) und einer Möglichkeit, die Steuerspannung höher als den Eingang zu haben.

$V_{CE}$ $V_{BE}$ $V_{BE}$

$R_{DS(on)}$ $V_{GS}$

$R_{DS(on)}$

Adam Lawrence
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Was ist mit P-MOSFET und invertiertem Steuersignal?

BarsMonster

R_{D S (o n)}

$R_{DS(on)}$

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@Madmanguruman - Sie können PMOS so einstellen, dass es das gleiche RDSon wie nmos hat - es muss nur etwa dreimal so groß sein wie NMOS, das mit derselben Technologie hergestellt wurde. Das Hauptproblem bei pmos-basierten LDOs ist, dass es verdammt schwierig ist, sie stabil zu machen und / oder sie mit anständigen Parametern zu machen.

Mazurnifizierung

Einverstanden - meine Aussage basierte auf der Beibehaltung einer konstanten Paketgröße für das Teil.

Adam Lawrence

@mazurnification: Würde es Schwierigkeiten geben, einen NFET zu verwenden, aber eher die negative als die positive Schiene zu regulieren? Ich weiß, dass die üblichere Schaltungstopologie darin besteht, die positive Schiene zu regulieren (7805 sind viel beliebter als 7905), aber in vielen Anwendungen spielt es wirklich keine Rolle.

Supercat

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Einige LDOs verwenden einen externen MOSFET:

http://www.micrel.com/page.do?page=/product-info/products/mic5156.shtml

Leon Heller
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Ich habe eine diskrete LDO-Linearreglerschaltung mit einem n-Kanal-MOSFET entworfen, um eine negative Spannung zu erzeugen. Dies war vor 22 Jahren und ich veröffentlichte es in einem Elektronikmagazin, das zum Laden von SLA-Batterien mit 13,8 Volt eingerichtet wurde.

Tausende wurden in der einen oder anderen Form gebaut, und ich hatte keine Stabilitätsprobleme. Diese alte einfache Schaltung könnte mit einem p-Kanal-FET und niedrigeren Ausgangsspannungen konfiguriert werden, und heutzutage würde der Abfall durch den niedrigen MOSFET-Einschaltwiderstand begrenzt. SMD-Teile bedeuten, dass Diskrete keine Strafe sind, daher weiß ich, dass jetzt ein wirklich geringer Abfall möglich ist.

Autistisch
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Haben Sie eine Referenz für den Artikel?

Peter Green

Peter Green. In den Tagen vor dem Internet habe ich Artikel bei LEO SIMPSON eingereicht, einem Herausgeber des australischen Elektronikmagazins "Silicone Chip". Die handgeschriebenen Manuskripte, die ich eingereicht habe, wurden manchmal in den Bereich für Schaltkreise aufgenommen. Ich bin mir sicher, dass dies der Fall war veröffentlicht, aber nicht gewonnen.

Autistische

Warum haben LDO-Regler einen so großen Spannungsabfall?

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