Ich versuche zu verstehen, wie der NAND-Flash-Speicher funktioniert, und ich glaube, ich verstehe, wie das Programmieren einer Seite funktioniert, aber ich verstehe nicht, warum das Invertieren der gesamten Spannung nicht zum Löschen der Seite führen würde. Warum muss also der gesamte Block gelöscht werden (anstelle eines feinkörnigeren Seitenlöschens)?
Was Sie sagen, ähnelt eher dem alten EEPROM und NOR Flash, bei denen der Löschvorgang im Wesentlichen darin besteht, dass dieselbe Menge entgegengesetzter Ladung injiziert wird. Das Problem ist, dass die Stornierung wirklich genau sein muss, da sonst das Risiko besteht, das Gate nicht vollständig zu entladen oder mit einem entgegengesetzten Wert aufzuladen.
Die Flash-NAND-Speicher verwenden das Prinzip der Tunnelfreigabe, das (wenn ich mich gut erinnere) im Wesentlichen darin besteht, dass die Ladung vom schwebenden Gate zu einem der aktiven Bereiche fließt, wodurch das Risiko vermieden wird, andere Ladungen zu injizieren.
Wahrscheinlich ist es nicht so klar, aber der Grund, warum es sich nicht mit einer entgegengesetzten Spannung entlädt, ist, dass Sie mit NAND Flash das Floating Gate wie mit einem Kondensator entladen und einfach die Ladung abfließen lassen. während die anderen Technologien die Injektion einer entgegengesetzten Ladung erfordern.
(Nehmen Sie diese Antwort mit Vorsicht, sie ist nicht vollständig korrekt, basiert jedoch auf dem, woran ich mich aus dem Kurs erinnere. Wenn ich das Material wieder erhalte, gebe ich Ihnen eine genauere Antwort.)