Open Drain gegen Open Collector

Gibt es einen praktischen Unterschied zwischen Open Drain- und Open Collector-Ausgängen oder werden die Begriffe austauschbar verwendet? Wenn sie in der Tat unterschiedlich sind, in welchen Kontexten ist jeder von Vorteil? Meiner Meinung nach sind sie funktional gleichwertig, aber Open Drain wird mit FET-Technologie implementiert, während Open Collector mit BJT-Technologie implementiert wird.

Richtig, Open Collector ist BJT, Open Drain (C) MOS. In Logikschaltungen , wo Ströme niedriger die Sättigungsspannung des BJT sind , können aufgrund von etwas höher als der Spannungsabfall für den FET, aber es wird immer noch viel niedriger als die maximale Spannung für einen logisch niedrigen .$R_{DS(ON)}$

Ausnahme: Sie können einen TTL-Open-Collector-Ausgang nicht als Pegelumsetzer verwenden, um eine Schnittstelle zum CMOS mit sehr niedriger Spannung herzustellen. Dieser Wechselrichter kann mit einer Vcc von nur 0,8 V betrieben werden, und das Datenblatt gibt einen Höchstwert von 0,25 Vcc an, der 0,2 V entspricht. Ein offener Kollektor weist einen höheren Spannungsabfall auf. ( Dieses Gerät spezifiziert sogar eine maximale Eingangsspannung mit niedrigem Pegel von 0 V, was einfach unmöglich ist.)

note
Neben der verdrahteten ODER-Verknüpfung (Think I2C) wird Open Drain / Collector häufig zur Steuerung von Objekten verwendet, die mit einer anderen Spannung als der Logik betrieben werden, häufig mit einer höheren Spannung. Bei einigen Niederspannungs-Logikfamilien ist dies nicht mehr möglich, da die FETs die Hochspannung nicht tolerieren. Aus diesem Grund sind in einigen Familien Klemmdioden eingebaut, um die Ausgangs-FETs zu schützen.