Warum ist Vbe eine Konstante von 0,7 für einen Transistor im aktiven Bereich?

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Ich werde ein Beispiel eines einfachen Common-Emitter-Verstärkers nehmen . Vergessen Sie vorerst die Vorurteile und Dinge, aber konzentrieren Sie sich auf den Kern dieser Strecke. So wie ich es verstehe, wird eine Spannung zwischen dem Basisknoten und dem Emitterknoten variiert, die letztendlich vom Transistor verstärkt wird, wodurch eine invertierte (verstärkte Version) des ursprünglichen Signals am Kollektorknoten erscheint.

Im Moment arbeite ich an einem Buch. Sedra / Smith, Mikroelektronik.

Während des gesamten Kapitels, an dem ich arbeite, heißt es, dass in der aktiven Region angenommen wird, dass Vbe 0,7 V beträgt . Das macht für mich einfach keinen Sinn. Wie kann Vbe konstant bleiben, wenn dies selbst die Eingangsvariable für eine Verstärkerstufe ist? Dies hätte für mich möglicherweise Sinn ergeben, wenn ich eine CE-Stufe mit einem Emitterwiderstand (Emitterdegeneration) betrachtet hätte, bei der die verbleibende Spannung über dem Widerstand abfallen könnte. Aber das ist nicht der Fall, also erleuchte mich!

schematisch

simulieren Sie diese Schaltung - Schema erstellt mit CircuitLab

Mitternachtsblau
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Als Randnotiz: Stellen Sie sich niemals einen Bipolartransistor als U-zu-U-Verstärker vor. Bipolartransistoren sind Stromverstärker (iB) zu Stromverstärkern (iC) (iC = hFE * iB). Wenn Sie eine ideale Spannungsquelle in die Basis des Transistors einbauen, ohne den Strom iB zu begrenzen, braten Sie den Transistor.
Chris
Auch wenn Sie dies tun (Spannungsquelle an der Basis ohne Begrenzung des Stroms), die Grenzen der Vbe des Transistors einhalten? Ist die Transistorstromgleichung nicht grundsätzlich Ic = Isexp (Vbe / Vt) (was anzeigt, dass der Transistor letztendlich stärker von der Spannung abhängt?). Ich denke, Sie haben Recht, wenn Sie sagen, dass der Ausgang Strom ist, aber ich denke, der Eingang ist eine Spannung. Daher glaube ich, dass es ein Transkonduktor ist.
MitternachtBlau
Ich denke, es ist eine Frage der Perspektive . Sie können vBE einfach durch rPI * iB ersetzen und die Gleichung ist stromabhängig. Aber was Träger in einem bipolaren Fluss wirklich ausmacht, sind die injizierten Träger in der Basis. Außerdem machen viele Leute diesen Fehler: "Oh, ich werde nur 1 V an Vbe anlegen und der Transistor wird an sein", nur um herauszufinden, ist fried.Vbe ist eine Diode, in die Sie einen Strom einspeisen, der einen viel größeren Lawinenstrom erzeugt. Nun ist ein CMOS-Transistor wirklich eine spannungsgesteuerte Stromquelle, ein Transkonduktor.
Chris
Ich denke, es könnte eine Perspektive sein. Ich weiß eigentlich nicht genug zu sagen. Eine Strömung, die eine größere Lawine auslöst, ist eine interessante Art, darüber nachzudenken.
Mitternacht
Es ist keine konstante 0,7 V, und Ihr Zitat sagt nichts anderes. Sie ist für NPN-Transistoren mit kleinem Signal innerhalb von etwa +/- 10% ziemlich konstant, daher werden 0,7 V als vereinfachende Annahme verwendet, wie in Ihrem Zitat tatsächlich angegeben. Für die Transistoren, die ich normalerweise benutze, variiert sie zwischen 0,2 und 0,65 V.
user207421

Antworten:

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Invertieren der Kollektorstromgleichung:

iC=ISevBEVT

Ausbeuten:

vBE=VTlniCIS

Zum Beispiel lassen

VT=25mV

IS=1fA

IC=1mA

Finden Sie das mit diesen Werten

VBE=0.691V

Verdoppeln Sie nun den Kollektorstrom und finden Sie diesen

VBE=0.708V

Durch Erhöhen des Kollektorstroms um 100% wurde nur die Basis-Emitter-Spannung um 2,45% erhöht.

Obwohl es nicht wahr ist, dass die Basis-Emitter-Spannung konstant ist, ist es keine schlechte Annäherung, sie über einen relativ weiten Bereich des Kollektorstroms als konstant zu betrachten.

Alfred Centauri
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Vbe in einem Siliziumtransistor wirkt wie eine Siliziumdiode. Der Durchlassspannungsabfall steigt nach Durchleiten einer bestimmten Strommenge stark an. Das Erhöhen des Stroms macht an diesem Punkt einen vernachlässigbaren Vf-Unterschied.

Geben Sie hier die Bildbeschreibung ein

Beachten Sie, dass der Vf natürlich für Germaniumdioden und Transistoren unterschiedlich ist.

Passant
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4

Das Ebers-Moll-Modell für den Emitterstrom in einem Bipolartransistor lautet:

IeIeseVbeVt

IeVt 26mVVbeIes=1012

Ebers-Moll-Grundstück

Geben Sie hier die Bildbeschreibung ein

Vbe

VbeVbe

Vbe

VbeVbe

Bitrex
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Okay, was würde passieren, wenn das Eingangssignal meines einfachen Verstärkers über 0,7 V steigt? Wollen Sie damit sagen, dass der Transistor zur Sättigung gezwungen wird?
MitternachtBlau
@ user1255592 Es wird nicht bei genau 0,7 Volt in einem realen Stromkreis (wahrscheinlich niedriger) passieren, aber wenn Sie die Basisspannung in Bezug auf Masse in diesem Stromkreis weiter hochziehen, wird das passieren.
Bitrex
@ user1255592 In einem herkömmlichen Emitterverstärker mit Emitterdegeneration variiert auch die Vbe, aber der Emitterwiderstand liefert eine Rückkopplung, um die Vbe-Auslenkung in einem sehr kleinen Bereich zu halten, und der Transistor bleibt im aktiven Bereich. In einer solchen Schaltung ist es sinnvoll, die "0,7" -Volt-Näherung zu verwenden, da die Abweichung von diesem Wert aufgrund des Signals sehr gering ist (obwohl sie auftreten muss, damit der Transistor verstärkt.)
Bitrex
Danke für die Antwort! Das macht langsam Sinn. Wie hoch wäre also die typische Einschaltspannung für diese Konfiguration des Transistors? Um 0,5V? Ist das ein guter Grund, warum wir den Emitterwiderstand verwenden? Ich höre immer wieder, dass das Hinzufügen eines Emitterwiderstands die Schaltung linearer macht. Bedeuten sie mit linear diese Erweiterung des Eingangsspannungsbereichs? EDIT: Ich denke du hast gerade gleichzeitig meine Frage beantwortet!
MitternachtBlau
Wie stark würde die Eingabe in einem einfachen gemeinsamen Emitter mit Degeneration variieren? Ist es richtig zu sagen, dass das einzige Spiel, das ich habe, zwischen 0,5 V und 0,7 V liegt? Ist es also eine gute Idee zu sagen, dass eine gute Basis-DC-Vorspannung 0,6 V beträgt?
MitternachtBlau
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Das Fermi-Niveau ist die durchschnittliche Energie mobiler Elektronen (oder Löcher) in Halbleitermaterial. Die Fermi-Pegel werden in Elektronenvolt (eV) ausgedrückt und können als die Spannung angesehen werden, die von den Elektronen gesehen wird.

Intrinsisches Silizium (und Germanium) hat das Fermi-Niveau auf halbem Weg zwischen der Oberkante des Valenzbandes und der Unterkante des Leitungsbandes.

Wenn Sie das Silizium auf P-Typ dotieren, fügen Sie viele Löcher hinzu. Jetzt haben Sie viel mehr verfügbare Trägerzustände nahe der Oberseite des Valenzbandes, und dies drückt den Fermi-Pegel nahe der Valenzbandkante nach unten. In ähnlicher Weise fügen Sie beim Dotieren vom N-Typ viele Elektronen hinzu, wodurch viel mehr verfügbare Trägerzustände in der Nähe des Leitungsbandes erzeugt werden, und drücken den Fermi-Pegel nahe an die Kante des Leitungsbandes.

Für die Dotierungsniveaus, die typischerweise in einem Basis-Emitter-Übergang gefunden werden, beträgt der Unterschied in den Fermi-Niveaus zwischen der P- und der N-Seite etwa 0,7 Elektronenvolt (eV). Dies bedeutet, dass ein Elektron, das sich von N nach P bewegt, 0,7 eV Energie abgibt (in Form eines Photons: Hier erhalten Leuchtdioden ihr Licht: Die Materialien und die Dotierung werden so gewählt, dass der Unterschied in den Fermi-Pegeln über den Übergang hinweg besteht führt zu Photonen bei der gewünschten Wellenlänge, wie durch die Plancksche Gleichung bestimmt). In ähnlicher Weise muss ein Elektron, das sich von P nach N bewegt, irgendwo 0,7 eV aufnehmen.

Kurz gesagt, Vbe ist im Wesentlichen nur der Unterschied in den Fermi-Pegeln auf den beiden Seiten der Verbindungsstelle.

Dies ist das Material von Semiconductors 101, da Sie dies verstehen müssen, bevor Sie weiter gehen. Die Tatsache, dass es 101 ist, bedeutet NICHT, dass es einfach oder leicht ist: Es dauert zwei Semester Kalkül, zwei Semester Chemie, zwei Semester Physik und ein Semester Differentialgleichungen, um die Voraussetzungen für die Halbleitertheorie zu schaffen Klasse, die all das im Detail erklärt.

John R. Strohm
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Anmutig erklärt. Vielen Dank, Sir, für Ihren Einblick. Dies hat mir die Augen für die Materialwissenschaft der Halbleiter geöffnet. Und hat mir ein besseres grundlegendes Verständnis der Bewegung von Energie gegeben. Ich werde dies auf jeden Fall mit einigen Studien fortsetzen. Haben Sie Empfehlungen zu Ressourcen dafür?
RedDogAlpha
Nehmen Sie an einer guten Ingenieurschule an einem kompetenten Kurs für Halbleitermaterialien und -geräte teil. Planen Sie, wie gesagt, zwei Semester Analysis, zwei Semester Chemie, zwei Semester Physik und ein Semester Differentialgleichungen ein. Ich hatte Glück: Ich nahm die Klasse von einem Mann, der (a) das Material liebte (b) liebte zu unterrichten (c) war WIRKLICH gut im Unterrichten. Ich fand später heraus, dass das Wort über ihn war, dass Sie ZWEIMAL so hart für die Klasse in seiner Klasse gearbeitet haben wie jede andere, und es war die Mühe wert.
John R. Strohm
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VBE=0.7V

VBE

Nidhin
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OP fragte speziell, wann es keinen Basiswiderstand gibt.
Sherlellbc
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Gute Frage. Das oft zitierte Vbe von 0,7 V ist nur eine Annäherung. Wenn Sie die Vbe eines Transistors messen, der aktiv verstärkt, wird auf einem Multimeter eine Vbe von etwa 0,7 V angezeigt. Wenn Sie diese 0,7 jedoch wie mit einem Oszilloskop vergrößern könnten , würden Sie winzige Abweichungen feststellen Daher kann es zu jedem Zeitpunkt 0,6989 V oder 0,70021 V sein, da das Eingangssignal, das auf dieser Vorspannung liegt - dasjenige, das Sie verstärken möchten - um diesen Vorspannungspunkt schwankt.

Paul B.
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vBEvBEvce

vBEVBEvBE=VBE+vbeVBE0.7Vvbe

André Cavalcante
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Um es klar zu machen: Vbe ist natürlich nicht konstant, weil es die Eingangsgröße ist, die die Ausgangsmenge (Strom) steuert. Mit anderen Worten - Ändern des Ausgangsstroms bzw. Die Ausgangsspannung (die über dem Kollaborationswiderstand erzeugt wird) in einer typischen Verstärkerstufe erfordert, dass sich die Eingangsspannung ändert.
LvW
Was sind Ca- und CC-Komponenten? Ich habe diese Frage geschrieben und dabei die 'Komponenten' für kleine Signale / große Signale vergessen, weil mich das auch verwirrt. Wenn wir einen längeren Eingang mit höherer Spannung erhalten, an welchem ​​Punkt nennen Sie ihn einen großen Signaleingang und wann nennen wir ihn ein kleines Signal. Was wäre, wenn wir einen sehr großen Eingangssignalhub hätten, der nicht in den für diese Analyse erforderlichen kleinen Eingangsbereich passen könnte?
MitternachtBlau
LvW deshalb habe ich diese Frage geschrieben! Ich finde es verwirrend, dass Bücher lehren, dass das Vbe konstant ist, wenn es die Eingangsvariable ist. @ user3084947 Wie können wir Vce ändern, ohne die Versorgungsschienen oder die Widerstände zu ändern?
MitternachtBlau
@midnightBlue Um zu verstehen, was eine Ca- oder CC-Komponente ist, sollten Sie die Signalverarbeitungstheorie studieren, insbesondere generative Modelle, die auf sinusförmigen Oszillationen wie Fourier-Reihen basieren.
André Cavalcante
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Ihre Frage ist ausgezeichnet.

Nur theoretisch sind Transistoren für jede Ube <0,7 V vollständig geschlossen und für jede Ube> = 0,7 V vollständig geöffnet. In einigen Transistoren mit geringer Leistung kann diese idealisierte Ube 0,6 V oder 0,65 V betragen.

In der Praxis kann Ube für Hochleistungstransistoren noch mehr von 0 V bis 3 V reichen. In der Praxis werden Transistoren für jedes Ube> 0 leicht geöffnet und erhöhen ihre Offenheit mit zunehmendem Ube weiter.

Wie bereits erwähnt, ist die Abhängigkeit von Eis oder besser gesagt von Rce von Ube nach einem bestimmten Punkt stark nichtlinear, und daher führt die Zunahme von Eis nicht zu einer enormen Zunahme von Ube, dennoch gibt es eine solche.

Unterhalb von 0,7 V kann die Zunahme von Eis etwas linear sein und dies hängt vom Transistor ab.

Die maximale Ube bei maximalem Eis beträgt leicht 2,5 V bis 3 V für große Leistungstransistoren und Eis größer als 25A.

Eines ist sicher: In analogen Anwendungen muss die Abhängigkeit von Eis von Ube unbedingt berücksichtigt werden, hauptsächlich für Hochleistungs- oder Hochstromtransistoren.

Schauen Sie sich 2N5302 mit Ube = 3V bei Ice = 30A und Uce = 4V an.

user115609
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Willkommen bei EE.SE! Sie können Ihre Antwort mithilfe der MathJax-Formatierung für Ihre Variablen mit Indizes besser lesbar machen.
user2943160
"Transistoren sind theoretisch nur für Ube <0,7 V vollständig geschlossen und für Ube> = 0,7 V vollständig geöffnet." Für mich klingt diese Aussage ziemlich verwirrend und / oder irreführend (siehe die bekannte Shockley-Gleichung, die im Ebers-Moll-Transistormodell verwendet wird).
LvW
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Am Ende dieses Beitrags erfahren Sie, wie Sie die Spannungsverstärkung eines Bipolaren berechnen.

Untersuchen wir eine Tabelle von Vbe gegen Kollektorstrom für einen imaginären Bipolar:

VBE Ic

0,4 1 uA

0,458 10uA Hinweis 58 mV mehr Vbe ergeben genau 10x mehr Strom.

0,516 100 uA

0,574 1 mA

0,632 10 mA

0,690 100 mA [Transistor ist HEISS, daher kann der Strom durchgehen und den Transistor schmelzen (ein bekanntes Risiko bei Bipolaren, die mit konstanter Basisspannung vorgespannt sind)]

0,748 1 A Transistor ist HEISS

0,806 10 Ampere Transistor ist heiß

Können wir tatsächlich einen Bipolartransistor mit einem Kollektorstrom von 1 uA bis 10 Ampere betreiben? Ja, wenn es ein Leistungstransistor ist. Und bei höheren Strömen verliert diese feine Tabelle - die 58 Millivolt mehr Vbe zeigt, 10-mal mehr Strom - an Genauigkeit, da das Bulk-Silizium einen linearen Widerstand aufweist und Kurven-Tracer dies zeigen.

Wie wäre es mit Änderungen unter 58 mV? Vbe Ic 0,2 Volt 1nanoAmp (ca. 3 Faktoren von 58 mV unter 1uA bei 0,4 V) 0,226 2,718 nanoAmp (die 0,026 V der Physik ergeben E ^ 1 mehr I) 0,218 2.000 nanoAmp 0,236 4.000 nanoAmp 0,254 8.000 nanoAmp (Sie finden N * 18 mV in Spannungsreferenzen)

OK, genug Tische. Betrachten wir den Bipolartransistor ähnlich wie Vakuumröhren oder MOSFETS ............... als Transkonduktoren, bei denen Änderungen der Eingangsspannung Änderungen des Ausgangsstroms verursachen.

Die Verwendung von Bipolaren macht Spaß, da wir die Transkonduktanz für jeden Bipolar genau kennen, wenn wir den DC-Kollektorstrom kennen (dh ohne AC-Eingangssignal).

Kurz gesagt, wir bezeichnen dies als "gM" oder "gm", da Vakuumröhren-Datenbücher die Variable "gegenseitige Transkonduktanz" verwendeten, um zu erklären, wie der Netzspannungs-Plattenstrom gesteuert wird. Wir können Lee deForest ehren, indem wir dafür gm verwenden.

Der gm eines Bipolaren bei 25 Grad Celsius und dem Wissen, dass kt / q 0,026 Volt beträgt, beträgt -------> Ic / 0,026, und wenn der Kollektorstrom 0,026 Ampere (26 Milliampere) beträgt, beträgt der gm 1 Ampere pro Volt.

Somit verursacht 1 Millivolt PP an der Basis einen Wechselstrom von 1 Milliampere PP-Kollektor. Ignorieren Sie einige Verzerrungen, die Sie mithilfe der Taylor-Serie vorhersagen können. Oder Barry Gilberts Schriften zu IP2 und IP3 für Bipolare.

Angenommen, wir haben einen 1-kOhm-Widerstand vom Kollektor bis +30 Volt mit 26 mA. Der Vce beträgt 30 - 1K * 26ma = 30 - 26 = 4 Volt, so dass sich der Bipolar im "linearen" Bereich befindet. Was ist unser Gewinn?

Die Verstärkung beträgt g * Rcollector oder 1 Ampere / Volt * 1.000 Ohm oder Av = 1.000x.

analogsystemsrf
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Leider ist die DEFINITION der Tranconduktanz gm nicht angegeben. Es ist die Steigung der exponentiellen Ic = f (Vbe) -Eigenschaften gm = d (Ic) / d (Vbe). Aufgrund der Exponentialform ist das Ergebnis gm = Ic / Vt.
LvW
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Ihre Frage ist:

Wie kann Vbe konstant bleiben, wenn dies selbst die Eingangsvariable für eine Verstärkerstufe ist?

Die einfache Antwort ist, dass es nicht so ist:

  1. VBE
  2. VBEIb

Aber jetzt werde ich versuchen zu beantworten, was meiner Meinung nach Ihr tatsächlicher Zweifel ist. Ich denke, dass Sie das Konzept aus der DC-Analyse und der Kleinsignalanalyse der Schaltung verwechseln.

Was Sie "Eingangsvariable" nennen, hat tatsächlich eine Wechselstromkomponente über einer Gleichstromkomponente:

AC + DC-Komponenten

VBE

Ich denke, jetzt können Sie sehen, woher Ihre Verwirrung kommt. Keine Sorge, es ist eine ziemlich häufige Verwirrung. Ich habe immer gedacht, dass die meisten Lehrer und Bücher nicht gut erklären können, wie man in Bezug auf die DC-Analyse im Vergleich zur Kleinsignalanalyse denkt und welche Annahmen in jedem einzelnen angewendet werden sollten.

Alles zusammenfassend:

  1. VBEVBEIb

  2. RcVccvBEVBE

CE Kleinsignalschaltung

Hinweis: Die Quelle für das obige Diagramm finden Sie hier .

Enric Blanco
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