Was ist der Unterschied zwischen NPN- und PNP-Transistoren?

Angenommen, ich weiß, wie ein NPN-Transistor funktioniert .

Wie unterschiedlich ist ein PNP-Transistor? Was sind die betrieblichen Unterschiede zwischen einem PNP und einem NPN?

transistors bjt pnp Denilson Sá Maia
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@ Federico - Was lässt Sie glauben, dass Denilson die physischen Unterschiede kennen möchte? Da er die Antwort als solche akzeptiert und mit der anderen Frage nach den Betriebseigenschaften verknüpft hat, komme ich zu demselben Schluss wie Kortuk : Sie haben die Bedeutung der Frage geändert. Änderungen sollten nicht verwendet werden, um Threads zu hijacken, sondern um die Bedeutung des Posts zu klären, ohne ihn zu ändern .

Kevin Vermeer

@ Kevin Vermeer: Es stimmt perfekt mit dem Titel überein, der fragt, was der Unterschied ist. Denilson stellt auch die Frage, was die betrieblichen Unterschiede sind, und die akzeptierte Antwort spricht nur darüber, wie eine Verbindung hergestellt werden soll. Wenn es andere Unterschiede gibt, sollten sie meiner Meinung nach genau diese Frage beantworten.

Federico Russo

@ Kevin Vermeer: Ich wollte auch vermeiden, dass eine neue Frage als genaues Duplikat geschlossen wird, weil das passiert, wenn ich frage.

Federico Russo

@ Kevin - Ich habe Federicos Zusatz gelesen und stimme ihm zu, dass dies nichts an der Absicht der Frage ändert. "Unterschiede in den Merkmalen" (FR) sind Teil von "Betriebsunterschieden" (DS). Ich denke, es sollte Denilson sein, sich für ein Rollback zu entscheiden.

Stevenvh

@stevenvh, es stimmt definitiv nicht mit der Bedeutung des Posters überein, basierend auf der akzeptierten Antwort. Sie haben Recht, wir müssen OP, um abzuwägen. Jeder Kommentar hier zeigt ihn jedoch an.

Kortuk

Antworten:

PNP-Transistoren arbeiten genauso wie NPNs, jedoch werden alle Spannungen und Ströme umgekehrt. Sie schließen den Emitter an das höhere Potential an, der Quellstrom fließt von der Basis und der Hauptstrom fließt in den Emitter und tritt dann durch den Kollektor aus.

$V_\rm{BE}$ $-0.7\,\rm{V}$

jpc
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Was Sie im ersten Absatz zu beschreiben scheinen, ist ein PNP-Transistor, den Sie nicht gesagt haben. Dies beantwortet auch nicht die Frage, da es sich eher um die Gerätephysik handelt. Sie erklärten nie Mehrheitsträger, Löcher, etc.

Olin Lathrop

@OlinLathrop, Sie könnten die Frage bearbeiten, um sie zu verbessern. Basierend auf der akzeptierten Antwort ist das OP jedoch hauptsächlich an betrieblichen Unterschieden interessiert.

Kortuk

@OlinLathrop, ich habe versucht, die Lesbarkeit meiner Antwort zu verbessern. Wie Kortuk sagte, glaube ich nicht, dass das OP überhaupt an der Physik interessiert war.

JPC

Ich sehe, dass sich die Frage in der Zwischenzeit geändert hat, oder dass sie zusammengeführt wurde. Die ursprüngliche Frage, die ich sah, bezog sich auf die Physik und erwähnte speziell die Mehrheitsträger und -löcher.

Olin Lathrop

@Olin Ich habe den Bearbeitungsverlauf überprüft und es scheint, dass die erweiterte Frage, die Sie sahen, eine Ergänzung von jemandem war, der nichts mit dem OP zu tun hat.

JPC

NPN- und PNP-Transistoren sind unterschiedlich. Elektronen sind beweglicher als Löcher. Das bedeutet, dass PNP nicht so gut ist wie NPN. Bei Si-BJTs liegen die PNP-Typen bei Durchbruchspannung und wirklich hoher Leistung im Rückstand. Für Allzweckgeräte wie BC337 / BC327 sind die Dinge in jeder Hinsicht gleich, aber wenn Sie ein Offline-SMPS ausführen möchten, ist dies bei 1 kW nicht einfach oder praktisch. Für Germanium soll die NPN besser sein, ist es aber nicht. Dies ist auf Herstellungsprobleme zurückzuführen. Der AC127 ist nicht annähernd so gut wie der AC128 und der AD161 ist nicht so gut wie der AD162 und ja, diese Geräte wurden paarweise zusammen verkauft. Das Verhältnis von Elektronenmobilität zu Lochmobilität ist ein entscheidender Faktor dafür, wie nahe das PNP am NPN sein wird. Dies ist viel schlimmer für SiC, so dass man miese PNP-BJTs erwarten würde, so dass sie sich wahrscheinlich nicht die Mühe machen werden, sie herzustellen. Aus irgendeinem Grund weisen PNPs ein geringeres Rauschen auf, so dass sie in Eingangsstufen mit unterschiedlichen Paaren bevorzugt werden. Die Fülle an Highside-Treiberchips ist ein Beweis dafür, dass PNP nicht so gut ist wie NPN.

Autistisch
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+1 zur Hervorhebung der Unterschiede in der Mobilität zwischen Elektronen und Löchern. Ein Loch ist kein "positives Äquivalent" eines freien Elektrons. Für Leute, die von diesem Kommentar verwirrt sind,

lesen

Der einzige Unterschied liegt in der Funktionalität der Transistoren. In der geerdeten (gemeinsamen) Emitterkonfiguration findet keine Leitung statt, wenn ein Basisstrom für einen PNP-Transistor bereitgestellt wird (oder praktischer, wenn die Basis an eine 5-V-Versorgung angeschlossen ist), da die Hauptträger im n-Bereich Elektronen sind, deren Bewegung ist unterdrückt und es wird kein Pfad s / w Emitter und Kollektor gebildet. Somit wird kein o / p am Emitterübergang erhalten. Wenn der Basisstrom aus dem Transistor entfernt wird, wird ein virtueller Pfad zwischen dem Emitter und dem Kollektor gebildet, der dem Elektronenfluss einen gewissen Widerstand entgegensetzt, der anschließend durch den Basisstrom (oder die Spannung) geändert wird. Wenn in einem solchen Fall der Vcc direkt mit dem Kollektor verbunden ist und der Emitter über einen Widerstand (möglicherweise 10 k) geerdet ist, erhält der Vcc einen direkten Pfad, der am Emitterübergang erscheint. Wenn also im Falle von PNP am Emitter o / p genommen wird, ist die Konfiguration die eines Inverters, während der Transistor am Kollektor als einfacher Schalter oder Puffer arbeitet (dies ist genau das Gegenteil von der NPN-Konfiguration) Simulationssoftware, ich kann keine bildliche Darstellung geben. Aber ich hoffe, das würde dem Zweck dienen.

nvade
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