Welcher Widerstand für NPN-Transistorbasis?

Wie kann man einen Widerstand für eine NPN-Transistorbasis wählen?

Ich möchte P2N2222A als Schalter verwenden, in einem Design wie unten gezeigt. Wenn ich eine Spannung in der Basis (1,8 V) habe, möchte ich, dass eine Verbindung zwischen NODE1 und Masse hergestellt wird.

^{simulieren Sie diese Schaltung - Schema erstellt mit CircuitLab}

Wenn Sie bis zu 150 mA Strom zwischen Knoten 1 und Masse leiten und nur 1,0 V abfallen möchten (dies ist kein perfekter Schalter), müssen Sie davon ausgehen, dass die Stromverstärkung normalerweise 50 beträgt. Wenn Sie eine niedrigere Sättigungsspannung wünschen, ist die Laut technischen Datenblättern wird die Basis mit 15 mA gespeist, dh die Stromverstärkung ist auf nur 10 gefallen, die Sättigung beträgt jedoch nur 0,3 V.

Angenommen, Sie sind mit 150 mA zufrieden, während Sie den Transistor auf etwa 1 V sättigen, müssen Sie in die Basis .$\dfrac{150mA}{50} = 3mA$

Die Basisspannung benötigt ungefähr 0,7 V, so dass der Rest (1,8 V - 0,7 V) über dem Widerstand R1 liegen muss. Das Ohmsche Gesetz sagt uns, dass R = .$\dfrac{1.1V}{3mA} = 366.7\Omega$

Wählen Sie also vielleicht einen 360 Ohm Widerstand.

Wenn dies für Ihre Anforderungen nicht gut genug ist, suchen Sie nach einem N-Kanal-MOSFET mit niedrigem - etwa 1 V oder weniger.$V_{GS(threshold)}$

Aktuell

Als Faustregel gilt, dass Sie den Basiswiderstand so einstellen, dass der Basisstrom ein gutes Vielfaches (5, 10?) Des minimalen Basisstroms beträgt, der erforderlich ist, um den BJT in die Sättigung zu bringen. Dies können Sie den Datenblättern entnehmen.

Stromspannung

Sie müssen - aber das steht auch in den Datenblättern. Es ist wahrscheinlich sicher, für die meisten NPN-BJTs mit kleinem Signal 0,7 V anzunehmen.$V_{BE(sat)}$

Widerstand

Sobald Sie die Spannung am Widerstand und den Strom durch ihn kennen, gibt Ihnen das Ohmsche Gesetz die Antwort.