Langsame PNP-Ausschaltzeit, wie man sie optimiert

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Ich multiplexe ein Paar Nixie-Röhren. Die High-Side-Steuerung erfolgt mit zwei Transistorpaaren, MPSA92-Hochspannungs-PNP zum Umschalten der 160 V auf die Röhren und einem BS108 zum Steuern der Basis des PNP:

schematisch

simulieren Sie diese Schaltung - Schema erstellt mit CircuitLab

(R2 steht für die Nixie-Röhre).

Das Multiplexen erfolgt bei 1000 Hz. Ich habe jedoch einige Ghosting-Probleme, und wie im Bereich und in der Simulation zu sehen ist, ist das Problem die Ausschaltzeit des PNP. Es ist ziemlich langsam, ungefähr 100-200µs.

Ich möchte dies optimieren - ich habe über Baker-Klemmen gelesen, war aber verwirrt, da es keine Schaltungen mit PNP-Transistoren gibt. Ich habe versucht, zwei Dioden hinzuzufügen, eine vom Kollektor zu R1 und eine von der Basis zu R1. Dies hat jedoch überhaupt nichts verbessert! Ich bin nicht einmal sicher , dass es ist so etwas wie ein PNP Baker Klemme ...

Welche Möglichkeiten gibt es, um die Ausschaltverzögerung zu beheben?

anrieff
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Antworten:

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Ihre Steuerung zieht die Basis von Q1 nach unten, sodass Sie einen Pull-up-Widerstand daran anschließen müssen, um ihn so schnell wie möglich wieder hochzufahren. Sie müssen einen Wert auswählen, der hoch genug ist, damit Sie im eingeschalteten Zustand nicht zu viel Strom durch M1 ablassen (da jede Milliampere durch das Pull-up, R1 und M1 verschwendet wird), aber niedrig genug, damit der MPSA92 tatsächlich mit sättigt die Spannung, die durch den Teiler erzeugt wird, der durch das Hochziehen und R1 und M1 erzeugt wird.

Ignacio Vazquez-Abrams
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Beachten Sie, dass der Pullup-Widerstand niemals mehr als 0,7 V anliegt. Der größte Teil des Stroms fließt durch die Basis des PNP-Transistors.
Dave Tweed
Vielen Dank! Ich habe mit einem 4,7k-Widerstand getestet und das Problem ist sowohl in der Simulation als auch in der eigentlichen Hardware behoben!
Anrieff
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Wenn M1 ausgeschaltet ist, schwebt die Basis von Q1. Sie benötigen eine Möglichkeit, um es auf eine definierte Spannung zu bringen. Der einfachste Weg ist ein Basis-Emitter-Widerstand. Komplexere Wege würden beinhalten, einen zweiten Transistor zwischen M1-Drain und Q1-Emitter zu legen und ihn gegenüber M1 zu steuern. Das Ansteuern dieses neuen Transistors würde jedoch viele Teile hinzufügen. Für die meisten Zwecke sollte der Pulldown-Widerstand über Q1-BE ausreichend sein.

Die Spannung am neuen Widerstand beträgt ~ 0,7 V. Es wird auch einen Teil des Stroms von der Basis stehlen, wenn M1 eingeschaltet ist. Daher müssen Sie möglicherweise R1 nach unten einstellen, um Ihre Basisströme zu kompensieren und so hoch zu halten, wie Sie es ursprünglich wollten.

In der Regel versuche ich, einen Widerstand über den Basis / Emitter-Übergang (oder Gate / Source oder Gate / Emitter) aller meiner Transistoren zu legen, um sie in einen Aus-Zustand zu zwingen, wenn sie nicht speziell eingeschaltet sind.

Stephen Collings
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