Ich versuche, eine Heizspule (Widerstand ~ 0,9 Ohm) mit PWM über einen MOSFET zu steuern. Der PWM-Modulator basiert auf LM393, der MOSFET ist IRFR3704 (20 V, 60 A). Wenn ich 1k Widerstand anstelle der Heizung platziere, läuft alles gut und die Wellenformen an den Testpunkten CH1 und CH2 sind nahezu...
Ich arbeite an einem PCB-Layout für zwei High-Side-Schalter. Sie können unten ein Bild meines aktuellen Layouts sehen. Das Kupfergewicht der zukünftigen Leiterplatte wird wahrscheinlich 2 oz / ft² (doppelseitig) betragen. Ich benutze zwei p-Kanal-MOSFET (IPB180P04P4). Ich erwarte 10 Ampere für den...
Das ist also meine H-Brücke: Jedes Mal, wenn ich sie in einer Richtung benutze, sterben der P-Kanal-MOSFET und der NPN-BJT, die zur verwendeten Richtung gehören, in Sekunden. Der getötete MOSFET und der BJT entwickeln einen Kurzschluss, so dass ich die andere Richtung nicht mehr benutzen kann. Sie...
Die Ausgabe in einem PMOS ist wie folgt: I/P O/P 0 1 1 0 Warum kann ich dies nicht einfach verwenden, anstatt ein CMOS zum Invertieren der Logik zu verwenden? (Bitte erklären Sie in einfachen Worten, da ich ein Anfänger in diesem Thema und Thema
Ich habe ein System zum Ein- und Ausschalten von 24-VAC-Magneten entworfen (und jetzt größtenteils implementiert). Um dies zu erreichen, habe ich Optokoppler mit TRIAC-Ausgang ( Sharp PR26MF1xNSZ-Serie ) verwendet. Das Datenblatt für dieses Gerät beschreibt es als "Solid State Relay", "eine...
Ich möchte einen MOSFET als Schalter verwenden, der von meinem Mikrocomputer angesteuert wird. Die ursprüngliche Schaltung mit N-Kanal-MOSFET befindet sich auf der linken Seite. Ehrlich gesagt verstehe ich die Wahl des IRLZ44 nicht. Die Schaltung ist für Arduino ausgelegt, das über eine 5-V-Logik...
Ich versuche eine 5V USV zu entwerfen. Die Last sollte schalten, wenn die Netzspannung unter etwa 4 V fällt. Die Batteriespannung kann zwischen 3,8 und 5 V liegen. Ich simuliere in LTSpiceIV. Ich werde Mosfets verwenden, um Batteriestrom zu liefern, um einen Spannungsabfall durch Schottky zu...
Anwendung: Ich habe ein Kupfernetz (10 cm x 10 cm im Quadrat) in einer Vakuumkammer, die über einen 24 cm langen Kupferdraht mit einem BNC-Anschluss verbunden ist. Das Ziel ist es, die Maschenspannung (bezogen auf Masse) von 8 V bis ~ 0 V schnell zu wechseln. (Dadurch wird das elektrische Feld in...
Ich habe einen Super Wilson Current Current Mirror gebaut. Der Iin beträgt 4-20 mA bei 24 VDC. Die Genauigkeit betrug wirklich schlechte 5%. Ich habe 100-Ohm-Widerstände an der Quelle gegen Masse gelegt, und das hat ein wenig geholfen. Wie kann ich die Genauigkeit zwischen Eingabe und Ausgabe...
Ich habe ein Arduino an einen MOSFET angeschlossen, um ein Ventil zu steuern. Ich habe den GND des Arduino mit der negativen Spur (Wort?) Auf dem Steckbrett verbunden (der Übersichtlichkeit halber von SW1 im Schaltplan modelliert). Ich habe festgestellt, dass es nicht funktioniert, wenn ich dies...
Im Zusammenhang mit MOSFET-Schaltkreisen (PWM, Motorsteuerung usw.) habe ich gelesen, dass der "lineare Betriebsbereich" dort ist, wo Sie nicht lange sein möchten, da hier eine große Leistung im MOSFET vorhanden ist. Zum Beispiel diese Antwort : Sie treiben den MOSFET in seinen linearen Bereich...
Ich beginne damit, dass ich einfach kein Elektroingenieur bin. Ich bin jedoch ein eingebetteter Programmierer, der einige Erfahrung mit Schaltungsdesign und -einrichtung hat (gib mir Einsen und Nullen und ich kann sie zum Tanzen bringen ... aber Analog ist schwarze Magie ...). Einige...
Ich versuche eine Schaltung zu entdecken, die eine Spannung erzeugt, die ein Faktor der Quadratwurzel der Eingangsspannung ist. Dh . Der Faktor K ist irrelevant.V.o u t( t ) = K.V.i n( t )- -- -- -- -- -√Vout(t)=KVin(t)V_{out}(t) = K\sqrt{V_{in}(t)} Ich habe mir die Schaltung am Ende dieser Seite...
Ich möchte einen N-Kanal-MOSFET von einer 3-V-Stromquelle steuern. Die Sache ist, ich habe Schwierigkeiten zu verstehen, wie man weiß, dass der minimale V gs- Wert angewendet werden muss, damit der MOSFET gesättigt wird. Was ist zum Beispiel mit dem MOSFET CSD19501KCS (80 V N-Kanal...
(Haftungsausschluss für den Fall, dass es nicht schmerzlich offensichtlich ist - ich bin ein n00b, besonders wenn es darum geht, Transistoren zu verstehen). Ich dachte, ich hätte alles herausgefunden - ein p-Kanal-MOSFET ist (oder kann als) ein High-Side-Schalter für eine andere Spannungsquelle...
Wie kann ich die maximal vernünftige PWM-Frequenz für den Transistor 2SK2554 bestimmen (schätzen)? Ich habe Timings im Datenblatt gefunden : Ich könnte die Frequenz daraus abschätzen (und sicherstellen, dass alle diese Zeiten 20-50x kürzer sind als meine PWM-Zykluslänge oder ähnliches. Aber ich...
Warum ist der gepulste Drainstrom in MOSFETs höher als der kontinuierliche Drainstrom? In MOSFET-Datenblättern ist der gepulste Drainstrom viel höher als (um mindestens das Zweifache) des kontinuierlichen Drainstroms. Was ist der Grund dafür?
Ich habe die folgende N-MOS- und P-MOS-Push-Pull-Doppel-MOSFET-Schaltung gebaut. Der Zweck besteht darin, einige externe LEDs von einem 3,3-V-Mikroprozessor aus zu steuern. Es scheint jedoch ein Problem zu geben, bei dem der Doppel-MOSFET-Chip „SI4554DY-T1-GE3 Dual-N / P-Kanal“ einen schrecklichen...
Ich beziehe mich auf die folgende AppNote von TI. Was ist der Zweck der Transistoren Q3 und Q2? Soll der PFET "hart ausgeschaltet" werden, wenn der Controller ihn nicht einschaltet? Danke AJ
Hat jemand Erfahrung mit dem Vorspannen und Pulsieren eines Mikrowellen-GaN-HEMT? Ich habe gerade einen 10 Watt S-Band Transistor bestellt. Ich weiß alles über Bias-Sequenzierung. Diese Anwendung ist gepulst. Ich habe gelesen, wie man den Drain mit einem High-Side-Schalter pulsiert und wie man...