Geschwindigkeit
Die Zahlen sind in MHz angegeben und stellen die Frequenz des Taktsignals dar, mit dem der RAM arbeitet (x2 für DDR-RAM, dh DDR2-800 läuft mit 400 MHz). Der DDR bedeutet "doppelte Datenrate", dh er überträgt Daten sowohl an den ansteigenden als auch an den abfallenden Flanken des Signals (anstatt nur an und aus zu signalisieren). So bietet DDR beispielsweise den Effekt von 800 MHz, während es eigentlich nur bei 400 MHz liegt. DDR2 und DDR3 ersetzen Versionen der DDR-Spezifikation. (dh: DDR3 ist "Typ drei mit doppelter Datenrate").
Zeitliche Koordinierung
Speicher-Timings (oder RAM-Timings) beziehen sich zusammen auf einen Satz von vier numerischen Parametern, die als CL, tRCD, tRP und tRAS bezeichnet werden und üblicherweise als eine Reihe von vier durch Bindestriche getrennten Zahlen in der jeweiligen Reihenfolge dargestellt werden (z. B. 5-5-5- 15). Es ist jedoch nicht ungewöhnlich, dass tRAS weggelassen wird oder ein fünfter Wert, die Befehlsrate, hinzugefügt wird (aus Wikipedia ).
CL (CAS-Latenz)
Die CAS-Latenz ist die Verzögerung in Taktzyklen zwischen dem Senden eines READ-Befehls und dem Moment, in dem die ersten Daten an den Ausgängen verfügbar sind.
LRCD
Zeilenadresse-zu-Spaltenadresse-Verzögerung - tRCD ist die Anzahl der Taktzyklen, die zwischen der Ausgabe des aktiven Befehls und dem Lese- / Schreibbefehl vergehen. In dieser Zeit stellt sich das interne Zeilensignal so weit ein, dass der Ladungssensor es verstärkt.
tRP
Zeilenvorladezeit - tRP ist die Anzahl der Taktzyklen zwischen der Ausgabe des Vorladebefehls und dem aktiven Befehl. In dieser Zeit laden sich die Sense-Amps auf und die Bank wird aktiviert.
tRAS
Row Active Time - tRAS ist die Anzahl der Taktzyklen zwischen einem Bankaktivierungsbefehl und der Ausgabe des Vorladebefehls.
Sehen Sie hier für weitere Informationen über diese und andere RAM Timing - Elemente.
Stromspannung
Die angegebene Spannung ist die minimale / empfohlene Spannung, die zur Stromversorgung des RAM-Moduls erforderlich ist. Nicht genug und es kann das Modul nicht mit Strom versorgen, und Sie können die verschiedenen Chips auf dem Modul beschädigen.
Mehrkanal-Kits
Diese "Kits" sind einfach mehrere einzelne, ähnliche (möglichst identische) RAM-Module, die zusammen verpackt sind. Sie sollen (derzeit) in Motherboards mit zwei und drei (usw.) RAM-Kanälen verwendet werden. IE: Da für Dual Channel 2 Sticks erforderlich sind und dies vor einiger Zeit für neue Systeme zum Standard / Standard wurde (vor Triple Channel, Quad, usw.), haben die Speicherhersteller damit begonnen, ihre vorhandenen Kits als Multi Channel zu vermarkten Kits '.
Bisher wurden die Kits hauptsächlich verkauft, um beim Kauf mehrerer Module eine gewisse Preisersparnis zu erzielen (dh: Zwei 1-GB-Module in einem „2-GB-Kit“ sind billiger als der Kauf von zwei einzelnen 1-GB-Modulen desselben Modells).
Geschwindigkeit:
Der erste Teil ist die Art des Gedächtnisses. DDR2 ist die doppelte Datenrate 2. Die zweite ist die Geschwindigkeit in MHz, mit der der Speicher arbeitet. Im Allgemeinen gilt: Je schneller, desto besser (bis zu einem gewissen Punkt).
Zeitliche Koordinierung:
Die Zahlen geben die Anzahl der Wartezyklen an, die zwischen verschiedenen Speicheroperationen auftreten müssen. Weniger ist besser ( tiefer ).
Stromspannung:
Die Spannung, mit der der Speicher arbeitet. In den meisten Fällen dient dies nur als Referenz. Einige Systeme erfordern jedoch einen bestimmten Spannungsspeicher. Beispielsweise benötigen die neuen Intel Core I-Chips eine niedrigere Spannung (1,5 V iirc) als die älteren Core 2-Chips.
Mehrkanal:
Der Speicher wird entweder als einzelnes Modul (Stick) oder in Kits für Motherboards mit mehreren Speicherkanälen verkauft. Die meisten aktuellen Boards haben Dual mit dem Intel Sockel 1336 haben Triple Channel. Sie müssen lediglich sicherstellen, dass Sie zwei genau dieselben Speichermodule erhalten (gleiche Geschwindigkeit, Timings und Größe), die für den Mehrkanal-RAM erforderlich sind.
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