MOSFET-Unterschied zwischen den Eigenschaften des normalisierten Einschaltwiderstands und des Ausgangs

Im Datenblatt für STP36NE06 gibt es zwei Diagramme, die sich zu widersprechen scheinen:

In der Grafik links für Vgs=10vund Id=18Azeigt die Steigung der Kurve an, dass Rds ungefähr 0,05 Ohm beträgt. (Vds wäre ungefähr 1v). Die Grafik rechts deutet jedoch darauf hin, dass sie zwischen 0,6 und 1,8 Ohm liegen würde.

Was verstehe ich hier nicht?

Vielen Dank

"Normalisiert" fehlt Ihnen. Die Y-Achse im rechten Diagramm ist dimensionslos - es ist ein Verhältnis.

Wenn der MOSFET eine hat$R_{DS(ON)}$ von 43m$\Omega$ bei ~ 27 ° C ist es ungefähr das 1,45-fache von 100 ° C und das 0,6-fache von ~ = 25,8 m$\Omega$ bei -40 ° C.

Eine grobe Faustregel, die ich verwende, ist das Datenblatt $R_{DS(ON)}$wird bei der maximalen Sperrschichttemperatur, bei der ich arbeiten möchte, etwa 50% höher sein. Das liegt daran, dass es normalerweise bei einer Sperrschichttemperatur von 25 ° C angegeben wird. Sie testen dies, indem sie kurze Stromimpulse verwenden, damit sich der Übergang nicht erwärmen kann. Also, wie viele Datenblattnummern, die$R_{DS(ON)}$ Zahl im großen Druck kann die Unachtsamen irreführen.

Was fehlt, ist die Bedeutung von "normalisiert" ... 1,0 im RH-Diagramm bedeutet nicht 1,0 Ohm, sondern 1,0 * den Normalwert des Widerstands. Daher zeigt die Grafik, wie sich der Widerstand in diesem Fall mit der Sperrschichttemperatur skaliert.

Der Wert eines normalisierten Graphen besteht darin, dass es einfacher ist, auf verschiedene verwandte Situationen anzuwenden - möglicherweise Rds (on) bei verschiedenen Vgs oder verschiedenen Id.