Ich habe eine Schaltung, die etwas nicht Wichtiges tut, aber dazu führt, dass ein Ausgang normalerweise niedrig ist und dann bei Aktivierung auf etwas unter V cc steigt . Im Moment scheint mein V cc 1,8 V zu sein und das Signal steigt auf zwischen 1,2 V und 1,4 V. Ich möchte dieses Signal...
Ich möchte den Netzschalter LTC4412 in einer Anwendung verwenden. Aus dem Datenblatt ist hier die typische Anwendung Schaltung: : In der Anwendungsschaltung wird ein p-Kanal-MOSFET FDN306P verwendet. Ich bin ein bisschen neu in diesem Bereich, aber ich verstehe, dass für einen p-Kanal-MOSFET Strom...
Ich arbeite daran, eine von mir erstellte Schaltung zu debuggen, und versuche, mich mit einem Problem zu befassen. Ich habe die folgende Schaltung (74LCV ist ein invertierendes Flip-Flop und der NCP1400 ist ein Aufwärtswandler): Ziel ist es, die Last (ein 8051-basiertes uC) durch Drücken beider...
Wir entwickeln eine E / A-Abschirmung für Arduino (eine Art) und haben vier FET-gesteuerte Ausgangsanschlüsse mit jeweils ungefähr 12V 1-2A Last. Ich brauche alle diese vier Ausgänge, um kurzschlussgeschützt zu sein und solche Vorfälle von einem anderen Eingangspin am Arduino zu erkennen. Da wir...
Ich arbeitete mit einer Schnittstelle mit einem MOSFET und stieß auf einen Fall, in dem eine hohe Impedanz ein Eingang zum Gate des MOSFET sein könnte, wobei das Gate im Wesentlichen offen blieb. Würde der MOSFET das gleiche elektrische und physikalische Verhalten zeigen, als ob das Gate mit GND...
Ich habe ein einführendes Lehrbuch gelesen, um dies zu verstehen, aber es gibt keinen Grund dafür an. Liegt das daran, dass die JFETs im Vergleich zu BJTs viel weniger Spannung benötigen und die Spannung am Eingang abfallen muss? Ich bin ein bisschen
Was ist der effizienteste / beste Weg, um eine H-Brücke herzustellen? Ich möchte einen geringen Leistungsverlust, aber auch eine schnelle Schaltzeit, da ich PWM verwenden werde. Ich habe überlegt, 2 P-Kanal- und 2 N-Kanal-MOSFETs zu verwenden, um dies zu erreichen. Ich erkannte jedoch, dass...
Ich versuche, einen STP16FN06 von einem Raspberry Pi GPIO-Pin zu steuern , bin aber etwas verloren. Das folgende Schema zeigt (glaube ich), wie es derzeit verdrahtet ist, links den RPi-Pin + Masse und rechts eine 5-V-Gleichstromversorgung. simulieren Sie diese Schaltung - Schema erstellt...
Ich habe einen Stromkreis, der von 2 AA-Zellen in Reihe geschaltet wird, was bedeutet, dass ich im frischen Zustand 3,0 V erhalte (oder 2,4 V, wenn NIMH-Zellen) und auf 2,0 V abfällt. Dann kann mein Stromkreis nicht mehr funktionieren (kein DC / DC an Bord). Es ist ein Stromkreis mit sehr geringem...
Beschreibung Ich entwerfe ein System, in dem es eine Schaltung gibt, die die an eine Micro-SD-Karte angelegte Leistung steuert (aktivieren / deaktivieren). Die Schaltung ist die folgende: Die Leistungssteuerschaltung wird von einem P-MOSFET ausgeführt, der standardmäßig deaktiviert ist. Das Signal...
Ich habe folgende Schaltung: Der MOSFET-Treiber MCP1402 sollte den N-Kanal-MOSFET BUK7Y13 mit 12 V ansteuern , aber ich sehe ein viel schwächeres Signal, das um 0,7 V schwingt und verhindert, dass das Gate den MOSFET einschaltet. Die treibende Last besteht aus nur 3 LEDs und einem Widerstand in...
Im Datenblatt für STP36NE06 gibt es zwei Diagramme, die sich zu widersprechen scheinen: In der Grafik links für Vgs=10vund Id=18Azeigt die Steigung der Kurve an, dass Rds ungefähr 0,05 Ohm beträgt. (Vds wäre ungefähr 1v). Die Grafik rechts deutet jedoch darauf hin, dass sie zwischen 0,6 und 1,8...
Ich weiß, dass wir mit üblichen Durchgangslochkomponenten Kühlkörper usw. anbringen können . Aber wie funktioniert das mit oberflächenmontierten Komponenten ? Ist eine Kupferplatte um das Bauteil der richtige Weg? Wie berechnen wir die benötigte Fläche? Insbesondere betrachte ich diesen...
Ich mag mich verwirren, aber nach dem, was ich bisher gelesen habe, ist ein BJT ein stromgesteuertes Gerät und ein MOSFET ein spannungsgesteuertes Gerät, was für mich impliziert, dass ein MOSFET einen sehr niedrigen Eingangsstrom benötigt. Wenn das richtig ist, warum müssen wir dann beispielsweise...
Dies ist Abbildung 9-3 (b) von Motchenbacher - Rauscharmes elektronisches Systemdesign. Ich würde also erwarten, dass es funktioniert, aber ich verstehe es nicht: Das Hinzufügen einer diskreten Common-Source-Stufe am Eingang kann ein geringeres Rauschen bieten. Die insgesamt negative...
Ich hoffe, dies ist keine allzu breite Frage, aber was sind die besten Methoden, um ein schnelles Einschalten eines MOSFET zu erreichen, der von einem PWM-Signal angesteuert wird? Mein aktuelles Wissen sagt mir, dass ich zwei Dinge tun kann: 1 - Verwendung der niedrigstmöglichen PWM-Frequenz, da...
(Überschüssige Geschichte entfernt.) Ich erklärte jemandem MOSFETs, CMOS und Logikgatter und stellte fest, dass ich einige Konzepte nicht so gut verstand, wie ich dachte. Es gipfelte, als er einen einzelnen Transistor zeichnete, die beiden Eingänge an das Gate und die Source und den Ausgang an den...
Gibt es so etwas wie einen isolierten Gate-SCR oder etwas, das dieser Beschreibung
Ich habe eine STM32-MCU zu Hause. Ich dachte daran, eine Last mit dieser MCU und einem MOSFET zu steuern. Nehmen wir an, dies ist meine Schaltung: In dieser Schaltung verwenden wir einen Widerstand (R2), um das Gate des MOSFET zu entladen. Schauen wir uns nun die Struktur des GPIO im STM32 an. Hier...
Ich habe diese Schaltung gebaut, um eine Tauchpumpe mit einem PIR-Sensor zu steuern. Die Schaltung funktioniert wie erwartet (der PIR-Sensor aktiviert den Mosfet und schaltet die Pumpe ein), jedoch erst nach etwa 30 Sekunden ab dem ersten Einschalten der Stromversorgung. Davor verhält sich der...