Diese Frage ist vielleicht zu lokalisiert, aber ich versuche es. Ist es möglich, einen variablen Widerstand unter den im folgenden Schema gezeigten Bedingungen durch einen MOSFET zu ersetzen? Wenn ja, kann jemand einen MOSFET-Typ oder die erforderlichen MOSFET-Parameter vorschlagen. simulieren Sie...
Ich habe eine Leiterplatte (als Prototyping-Baustein gedacht) mit einem High- und Low-Gate-Treiber IR2113 entworfen, die zwei Leistungs-MOSFETs IRF3205 (55 V, 8 mΩ, 110 A) in Halbbrückenkonfiguration ansteuern: Bild des physischen Aufbaus Beim Testen der Schaltung mit einer Last stellte ich fest,...
In den Attributen eines MOSFET listet Digi-Key mehrere verschiedene Spannungen auf. Ich glaube, ich verstehe, was die meisten von ihnen sind, aber es gibt eine, die ich nicht verstehe: "Antriebsspannung". Nehmen wir als Beispiel diesen P-Kanal-MOSFET : Es gibt also "Drain to Source Voltage"...
Siehe diese Schaltung von Sedra & Smith Microelectronics, 6. Auflage, Seite 287: Es heißt, dass der Widerstand zwischen dem Gate und der Source, die in die Source schaut, 1 / g beträgt, aber dass der Widerstand zwischen dem Gate und der Source, die in das Gate schaut, unendlich ist. Warum? Was...
CMOS-Eingänge von Mikrocontrollern und anderen ICs können durch ESD-Entladungen beschädigt werden. Kann das Gate eines großen diskreten MOSFET (2N7000, IRF9530 usw.) durch ESD-Entladungen beschädigt
Ich möchte 50V Wechselspannung schalten. Der maximale Entladestrom beträgt 5A. Die Frequenz beträgt 50Hz. Schaltgeschwindigkeit ist nicht wichtig, kann sehr langsam sein, es ist kein Problem in meiner Anwendung. Zu diesem Zweck wollte ich zunächst ein Halbleiterrelais verwenden. Aber als ich...
Ich habe es mit einigen Konfigurationen versucht, in denen 16 + 16 MOS-Fets mit jeweils 240 A (tatsächlich sind sie aufgrund des Source-Anschlusses auf 80-90 A beschränkt, aber ich habe diesen Anschluss mit einem sehr dicken Kupferdraht für jeden von ihnen verdoppelt.) In a konfiguriert wurden sehr...
Leistungs-MOSFETs sind heutzutage allgegenwärtig und auch im Einzelhandel relativ billig. In den meisten Datenblättern habe ich gesehen, dass Leistungs-MOSFETs für das Schalten ausgelegt sind, ohne irgendwelche linearen Anwendungen zu erwähnen. Ich würde gerne wissen, ob solche MOSFETs auch als...
Durch die Verwendung von Transistoren mit begrenzter Gate- (oder Basis-) Spannung wird der Strom begrenzt, wodurch ein erheblicher Spannungsabfall über dem Transistor auftritt und Energie abgeführt wird. Dies wird als schlecht angesehen, da Energie verschwendet und die Lebensdauer des Bauteils...
Ich sehe normalerweise schwache Pull-Down-Widerstände an der Basis von NPN-Transistoren. Viele elektronische Sites empfehlen sogar, solche Dinge zu tun. In der Regel wird der Wert auf das 10-fache des Basisstrombegrenzungswiderstands festgelegt. Bipolartransistoren werden mit Strom betrieben. Wenn...
Ich arbeite schon lange mit Enhancement MOSFET. Aber ich habe noch nie eine Schaltung mit einem Verarmungs-MOSFET gesehen. Was sind einige typische Anwendungsfälle des
Wenn in der obigen Schaltung S1 gedrückt und losgelassen wird, leuchtet die LED und bleibt an. Warum ist das so? Ich kann die Gate-Spannung nicht direkt mit einem DMM messen, da beim Anschließen des DMM die LED nicht leuchtet. Wenn die LED AN ist (S1 gedrückt, dann losgelassen), und S2 gedrückt...
Wenn ich MOSTEFS als Schalter verwende, sehe ich immer, dass der Drain mit dem höheren Potential verbunden ist und dass die Last und die Source immer mit Masse verbunden sind. Können Sie diese so schalten, dass der Source-Pin mit dem höheren Potential und der Drain mit Masse verbunden...
Ich entwickle eine Schaltung als elektronische Last für das Testen von Netzteilen. Eine frühere Frage zum Testen dieser Schaltung erhielt mehrere sehr nützliche Antworten und kann hier gefunden werden: Wie teste ich die Stabilität des Operationsverstärkers? . In dieser Frage geht es darum, wie ich...
Bei der Überlegung, wie ein MOSFET geschützt werden kann, ging es darum, dem Gate einen extrem hohen Widerstand entgegenzusetzen: Die Idee ist, dass niemals Strom durch das Gate fließen soll. Wenn also eine Transiente das Gate bedroht, würde der Widerstand dies begrenzen Strom, möglicherweise...
Ich habe Probleme zu verstehen, wie diese MOSFET-Konfiguration (in Batterieladegeräten verwendet) funktioniert. In dieser Folie Was bedeutet es, "Spannungen in beide Richtungen zu blockieren und gleichzeitig bidirektionalen Strom
Diese Frage betrifft verbesserte MOSFETs vom n-Typ. Soweit ich weiß, wird eine Inversionsschicht unter der Isolationsschicht unter dem Gate des MOSFET gebildet, wenn eine Spannung an das Gate angelegt wird. Wenn diese Spannung überschreitet , die Schwellenspannung ; Durch diese Inversionsschicht...
Nach meinem Verständnis besteht die Aufgabe der Ausgangsstufe darin, die Ausgangsimpedanz auf nahezu 0 zu verringern. MOSFETs scheinen dafür besser geeignet zu sein, da sie viel niedrigere RdsRdsR_{ds} . Dennoch sehe ich ziemlich oft BJTs als Puffer in diskretem Design, oft in einer...
Ich habe einen 1-kW-Drehstrom- BLDC- Motor aus China und habe den Regler selbst entwickelt. Bei 48 VDC sollte der maximale Strom für kurze Zeit etwa 25 A und ein Spitzenstrom von 50 A betragen. Als ich mich jedoch mit BLDC-Motorsteuerungen befasste, stieß ich auf 24-Geräte-MOSFET-Steuerungen mit...
In der Regel handelt es sich beim digitalen Design um Flip-Flops, die bei einem 0-zu-1-Taktsignalübergang (durch positive Flanke ausgelöst) und nicht bei einem 1-zu-0-Übergang (durch negative Flanke ausgelöst) ausgelöst werden. Ich kenne diese Konvention seit meinen ersten Studien über sequentielle...