Folgendes weiß ich über NPN-BJTs (Bipolar Junction Transistors): Der Basis-Emitter-Strom wird am Kollektor-Emitter HFE-mal verstärkt, so dass Ice = Ibe * HFE Vbeist die Spannung zwischen Basis-Emitter und liegt, wie bei jeder Diode, normalerweise bei 0,65V. Ich erinnere mich aber nicht daran Vec....